湖北臺基半導體股份有限公司 臺基股份 TECHSEM
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    湖北臺基半導體股份有限公司位于襄樊市襄城南郊,峴山北麓,內資股份制企業。臺基公司是湖北省09年13家上市重點后備企業、湖北省100家優秀納稅企業、省重合同守信用單位,湖北省著名商標和精品名牌企業。公司注冊資本4420萬元,主營TECHSEM牌晶閘管及其模塊的研發、制造和銷售,是中國功率半導體器件的主要制造商之一,綜合實力位居國內功率半導體行業前三強。產品廣泛應用于金屬熔煉、工業加熱、電機調速、軟啟動、發配電等領域,以品種齊全、質量可靠、服務誠信享譽和暢銷全國,并銷往歐美、韓國、臺灣及東南亞等國家和地區。
    臺基公司人才齊全,產能優勢突出,F在職員工510人,其中享受國務院津貼專家1名,工程碩士8人,高級工程師12人,技術研發人員32人。公司是國家電力電子行業協會副理事長單位、湖北省高新技術企業,擁有省級企業技術中心。公司一直專注于大功率晶閘管及模塊的研發、制造、銷售及相關服務。目前,公司已形成年產80萬只大功率晶閘管及模塊的生產能力,是我國銷量領先的大功率半導體器件供應商。經過持續的技術引進和自主研發,公司已經掌握大功率晶閘管的核心技術。目前,公司正在研制具有國際級技術水平的6500V全壓接大功率晶閘管、焊接式模塊的制造技術以及IGBT的封裝技術,技術水平位于國內同行前列。
   公司建立了遍及全國的銷售網絡,在國內擁有約850家直營客戶(整機設備制造商),其中75家大客戶為電力電子應用領域的龍頭和骨干企業;同時還擁有49家特約經銷商,5家一般經銷商,觸角延伸至全國各地,銷售渠道在同業中具有明顯的比較優勢。報告期內,公司主導產品在國內連續保持年銷售數量領先,銷售收入前三位,其中在感應加熱應用領域的市場占有率超過50%,保持全國前列。綜合實力長期位居國內大功率半導體行業前三強。
    公司是國內大功率半導體器件領域為數不多的掌握前道(擴散)技術、中道(芯片制成)技術、后道(封裝測試)技術并掌握大功率半導體器件設計、制造核心技術并形成規;a的企業。公司現擁有5項專利,8項專利申請權(其中2項發明專利申請權),22項非專利技術。公司主要技術人員累計參與起草了11項國家或行業標準。公司以技術中心總協調、以技術開發部為依托開展研發,并與華中科技大學聯合設立儀華電力電子技術研究所(非法人機構);公司先后承擔了國家發改委、科技部、商務部的國家級重點火炬計劃項目等多項重點項目。
    公司2005年12月通過ISO9001:2000質量體系認證;2006年初公司產品通過了SGS通標公司的ROHS檢測;2007年12月,公司產品通過了CE認證,并錄入了鐵道部《機車重要件定點驗收目錄》; 2009年7月,公司通過了ISO9001:2008質量體系認證。公司2004年起一直被評為高新技術企業。
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晶閘管保護電路
 
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  晶閘管保護電路  
[2009-4-2]    字號:[][][]
 
      晶閘管的保護電路,大致可以分為兩種情況:一種是在適當的地方安裝保護器件,例如,R—C阻容吸收回路、限流電感、快速熔斷器、壓敏電阻或硒堆等。再一種則是采用電子保護電路,檢測設備的輸出電壓或輸入電流,當輸出電壓或輸入電流超過允許值時,借助整流觸發控制系統使整流橋短時內工作于有源逆變工作狀態,從而抑制過電壓或過電流的數值。
一.    晶閘管的過流保護
晶閘管設備產生過電流的原因可以分為兩類:一類是由于整流電路內部原因, 如整流晶閘管損壞, 觸發電路或控制系統有故障等; 其中整流橋晶閘管損壞類較為嚴重, 一般是由于晶閘管因過電壓而擊穿,造成無正、反向阻斷能力,它相當于整流橋臂發生永久性短路,使在另外兩橋臂晶閘管導通時,無法正常換流,因而產生線間短路引起過電流.另一類則是整流橋負載外電路發生短路而引起的過電流,這類情況時有發生,因為整流橋的負載實質是逆變橋, 逆變電路換流失敗,就相當于整流橋負載短路。另外,如整流變壓器中心點接地,當逆變負載回路接觸大地時,也會發生整流橋相對地短路。
1. 對于第一類過流,即整流橋內部原因引起的過流,以及逆變器負載回路接地時,可以采用第一種保護措施,最常見的就是接入快速熔短器的方式。見圖1?焖偃鄱唐鞯慕尤敕绞焦灿腥N,其特點和快速熔短器的額定電流見表1。
 
圖1:快速熔短器的接入方法
 
表1:快速熔短器的接入方式、特點和額定電流
方式
特點
額定電流IRN
備注
A型
熔短器與每一個元件串聯,能可靠地保護每一個元件
IRN <1.57IT
IT:晶閘管通態               
    平均電流
B型
能在交流、直流和元件短路時起保護作用,其可靠性稍有降低
IRN < KCID
 
系數KC見表2
KC:交流側線電 
    流與ID之比
ID:整流輸出電流   
C型
直流負載側有故障時動作,元件內部短路時不能起保護作用
IRN < ID
ID:整流輸出電流
 
表2:整流電路型式與系數KC的關系表
型式
單相 全波
單相 橋式
三相 零式
三相 橋式
六相零式六相曲折
雙Y帶平衡電抗器
系數
KC
電感負載
0.707
1
0.577
0.816
0.108
0.289
電阻負載
0.785
1.11
0.578
0.818
0.409
0.290
 
2. 對于第二類過流,即整流橋負載外電路發生短路而引起的過電流,則應當采用電子電路進行保護。常見過流保護原理圖如下

圖2:過流保護原理圖
 
二.    晶閘管的過壓保護
晶閘管設備在運行過程中,會受到由交流供電電網進入的操作過電壓和雷擊過電壓的侵襲。同時,設備自身運行中以及非正常運行中也有過電壓出現。
1.過電壓保護的第一種方法是并接R—C阻容吸收回路,以及用壓敏電阻或硒堆等非線性元件加以抑制。見圖3和圖4。
 
    2. 過電壓保護的第二種方法是采用電子電路進行保護。常見的電子保護原理圖如下:

圖5:過壓保護原理圖
 
三.   電流上升率、電壓上升率的抑制保護
1.       電流上升率di/dt的抑制
晶閘管初開通時電流集中在靠近門極的陰極表面較小的區域,局部電流密度很大,然后以0.1mm/s的擴展速度將電流擴展到整個陰極面,若晶閘管開通時電流上升率di/dt過大,會導致PN結擊穿,必須限制晶閘管的電流上升率使其在合適的范圍內。其有效辦法是在晶閘管的陽極回路串聯入電感。如下圖:
圖6:串聯電感抑制回路
 
2.       電壓上升率dv/dt的抑制
加在晶閘管上的正向電壓上升率dv/dt也應有所限制,如果dv/dt過大,由于晶閘管結電容的存在而產生較大的位移電流,該電流可以實際上起到觸發電流的作用,使晶閘管正向阻斷能力下降,嚴重時引起晶閘管誤導通。
為抑制dv/dt的作用,可以在晶閘管兩端并聯R—C阻容吸收回路。如下圖:
      圖7:并聯R—C阻容吸收回路
 
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